LASER World of PHOTONICS 2025 出展 / Muenchen, 2025/6/24-6/27
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2025年6月24日～6月27日 ドイツ・ミュンヘンにおいて開催される LASER World of PHOTONICS 2025に出展いたします。
弊社ブースではGaAsウエハ、赤外LED製品、InGaAs 近赤外フォトダイオードを展示いたします。 皆様のお越しを心よりお待ち申し上げております。
展示会情報
| 展示会名 | LASER World of Photnics 2025 |
| 会期 | 2025年6月24日(火)～27日(金) |
| 会場 | ドイツ・ミュンヘン見本市会場（Messe Muenchen） |
| 住所 | Messegelaende, D-81823 Muenchen, Germany |
| ブース番号 | ホールB2 335 ジャパンパビリオン ブース11 |
| 主催 | Messe Muenchen GmbH ― メッセ・ミュンヘン (www.messe-muenchen.de) |
| 公式URL | www.world-of-photonics.com |
出展製品
世界トップクラスの高出力を有する近赤外LEDを中心に、赤色～中赤外LEDチップ、近赤外フォトダイオード、SMD、GaAsウエハを展示します。
LED
| 製品名 | 発光波長 | 主な用途 |
| 赤外、NIR LEDチップ | 650-950nm | SpO2センサ、エンコーダ向け |
| SWIR LEDチップ | 1,040-2,300nm | ウェアラブルデバイス、マシンビジョン光源、ヘルスケアセンサ向け |
| MIR LEDチップ | 3,100-4,100nm | ガス検知センサ向け |
| SMD | 1,100-1,900nm | マシンビジョン光源、センサ向け |
その他製品
| 製品名 | 主な用途等 |
| GaAs基板 | へき開による高いOF精度：OF精度 +/- 0.02 deg 高キャリア濃度制御（n型, Si-doped）：高出力レーザーダイオード用途 低キャリア濃度制御（n型, Si+In Co-doped）：フリップチップVCSEL用途 p型基板（Zn doped or Zn+Si Co-doped）：高C.C.タイプ（>1.0E19cm-3）を開発 |
| InGaAs 近赤外フォトダイオード | 900-1,700nm帯での光通信、ウェアラブルデバイス、ヘルスケアセンサ |
お問い合わせ DOWAエレクトロニクス株式会社 半導体事業部 TEL：03-6847-1253
Webからの問い合わせはこちら https://www.infrared-led.com/index_jp/contact_jp.html
