氮化物外延基板
氮化镓（GaN）是一种用于下一代功率半导体和高频设备的宽带隙材料。本公司的氮化镓外延基板具有独特的缓冲层，在硅基板上同时实现了高耐电压性和良好的平整性。（硅基氮化镓HEMT外延基板）
我们承接以研发用途为主的外延生长委托业务。
针对p-GaN顶层、AlGaN DH结构等层状结构，以及在碳化硅（SiC）等其他基板上的外延生长，我们也将根据客户需求探讨承接方案。
| 用途（硅基氮化镓HEMT外延基板） | ||||
| 高功率半导体用途：逆变器、AC/DC转换器 | ||||
| 高频设备用途：用于手机基站 | ||||
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| 产品特点（硅基氮化镓HEMT外延基板） |
| 高耐电压（1000V）和低漏电（1E-6A） |
| 无裂纹 |
| 良好的翘曲度（Bow＜50μm） |
| 衬底尺寸（3、4、6英寸） |
| 支持厚膜（4.8μm） |
| p-GaN盖层、AlGaN DH结构 |
| 产品特性（硅基氮化镓HEMT外延基板） | ||||||||||||||||||||||||
| Standard HEMT Structure | ||||||||||||||||||||||||
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| Substrate | ||||||||||||||
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| Electrical properties | ||||||||
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| Vertical/Horizontal leak current |
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| Notes |
| ・推荐用途：电源开关装置 |
| ・例举的数值和特性为典型值。 |
| ・我们可以根据您的需求调整结构和特性。 |
| ・另可应对p-GaN盖层和AlGaN缓冲结构。 |
| 产品特性（氮化铝模板） | ||||||||||||||||||||
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