ガリウムヒ素基板
当社のガリウムヒ素基板は、DVDなどのレーザー用途、LED用途、携帯電話などの電子デバイス用途などに、数多く用いられています。
| 用途 |
| 高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LED用基板として使用されています。 |
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| 製品特徴 |
| VGF法、LEC法にて単結晶を育成しています。 |
| キャリア濃度高制御、低EPDの特徴があります。 |
| 製品特性 |
| VGF |
| VGF-n型 LDグレード | VGF-n型 LEDグレード | ||||||||
| 結晶成長法 | VGF（Vertical Gradient Freezing）法 | ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法 | |||||||
| ドーパント、導電型 | N型：Siドープ | N型：Siドープ | |||||||
| キャリア濃度 | N-type (0.4-4)E18 cm-3 （上記範囲内での調整可能） |
N-type (0.4-4)E18 cm-3 （上記範囲内での調整可能） |
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| 転位密度(EPD) | (cm-2) | EPDave≦200(LD) EPDmax≦2,000(LD) |
EPDave≦500(LED) EPDmax≦5,000(LED) |
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| サイズ | 6インチ | 4インチ | 3インチ | 2インチ | 6インチ | 4インチ | 3インチ | 2インチ | |
| 面方位 | 1. (100)0°～15°off±0.3 2. ご要望に応じます |
1. (100)0°～15°off±0.3 2. ご要望に応じます |
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| 直径 | (mm) | 150.0±0.3 | 100.0±0.3 | 76.0±0.3 76.2±0.3 |
50.0±0.3 50.8±0.3 |
150.0±0.3 | 100.0±0.3 | 76.0±0.3 76.2±0.3 |
50.0±0.3 50.8±0.3 |
| 厚さ | (μm) | 625/675 ±25 |
450/625 ±25 |
350/450 ±25 |
350/450 ±25 |
625/675 ±25 |
450/625 ±25 |
350/450 ±25 |
350/450 ±25 |
| オリフラ長さ | OF(mm) IF(mm) |
48.0±1.0 30.0±1.0 |
32.5±1.0 18.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
48.0±1.0 30.0±1.0 |
32.0±1.0 18.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
| （ご要望に応じ調整可能） | （ご要望に応じ調整可能） | ||||||||
| オリフラ方位 | OF位置 IF位置 |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5° （へき開、ベベルいすれも対応可能） |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5° |
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| ノッチ | OK | 不可 | 不可 | 不可 | OK | 不可 | 不可 | 不可 | |
| 外周加工 | べべル | べべル | |||||||
| 加工精度 | TTV(μm) | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦10.0(TV) | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦10.0(TV) |
| 加工精度 | Warp(μm) | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦15.0 | ≦15.0 | ≦15.0 | ≦15.0 |
| 面仕上げ 表面 |
表面 | ミラー | ミラー | ||||||
| 面仕上げ 裏面 |
裏面 | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ||||||
| 表面処理 | エピレディ | エピレディ | |||||||
| レーザーマーク | オプション | オプション | |||||||
| 梱包形態 | カセット | カセット又は個装トレイ | カセット | カセット又は個装トレイ | |||||
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VGF-p型
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| VGF-p型 Znドープ | VGF-p型 Zn＋Siドープ | ||||
| 結晶成長法 | （VerticＶＧＦal Gradient Freezing）法 | ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法 | |||
| ドーパント、導電型 | P型：Znドープ | P型：Zn+Siドープ | |||
| キャリア濃度 | P-type (0.5-3)E19 cm-3 （上記範囲内での調整可能） |
P-type (0.5-3)E19 cm-3 （上記範囲内での調整可能） |
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| 転位密度(EPD) | (cm-2) | EPDave</=3,000 EPDmax</=10,000 |
EPDave</=1,500 EPDmax</=10,000 |
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| サイズ | 4インチ | 2インチ | 4インチ | 2インチ | |
| 面方位 | 1. (100)0°/2°off±0.3 2. ご要望に応じます |
1. (100)0°/2°off±0.3 2. ご要望に応じます |
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| 直径 | (mm) | 100.0±0.3 | 50.0±0.3 50.8±0.3 |
100.0±0.3 | 50.0±0.3 50.8±0.3 |
| 厚さ | (μm) | 450/625 ±25 |
350/450 ±25 |
450/625 ±25 |
350/450 ±25 |
| オリフラ長さ | OF(mm) IF(mm) |
32.5±1.0 18.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
32.5±1.0 18.0±1.0 |
16.0±1.0 8.0±1.0 |
| （ご要望に応じ調整可能） | （ご要望に応じ調整可能） | ||||
| オリフラ方位 | OF(mm) IF(mm) |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5° （へき開、ベベルいすれも対応可能） |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.05°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.05°/ [IF](011)±0.5° （へき開、ベベルいすれも対応可能） |
||
| 外周加工 | べべル | べべル | |||
| 加工精度 | TTV(μm) | ≦10.0 | ≦10.0(TV) | ≦10.0 | ≦10.0(TV) |
| Warp(μm) | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦10.0 | ≦10.0 | |
| 面仕上げ | 表面 | ミラー | ミラー | ||
| 裏面 | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | |||
| 表面処理 | エピレディ | エピレディ | |||
| レーザーマーク | オプション | オプション | |||
| 梱包形態 | カセット又は個装トレイ | カセット又は個装トレイ | |||
| 半絶縁基板 |
| VGF-半絶縁性 | LEC-半絶縁性 | ||||
| 結晶成長法 | ＶＧＦ（Vertical Gradient Freezing）法 | ＬＥＣ（Liquid Encapsulated Czochralski ）法 | |||
| ドーパント、導電型 | 半絶縁性：アンドープ（Cドープ） | 半絶縁性：アンドープ（Cドープ） | |||
| 抵抗率 | (at 22℃)(Ω cm) | ≥1E7 （上記範囲内での調整可能） |
≥1E7 （上記範囲内での調整可能） |
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| 転位密度(EPD) | (cm-2) | EPDave≤5000 | EPDave≤10^5 | ||
| サイズ | 4インチ | 3インチ | 4インチ | 3インチ | |
| 面方位 | 1. (100)0°/2°off±0.3 2. ご要望に応じます |
1. (100)0°/2°off±0.3 2. ご要望に応じます |
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| 直径 | (mm) | 100.0±0.3 | 76.0±0.3 76.2±0.3 |
100.0±0.3 | 76.0±0.3 76.2±0.3 |
| 厚さ | (μm) | 450/625 ±25 |
350/450 ±25 |
450/625 ±25 |
350/450 ±25 |
| オリフラ長さ | OF(mm) IF(mm) |
32.5±1.0 18.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
32.5±1.0 18.0±1.0 |
22.0±1.0 12.0±1.0 |
| （ご要望に応じ調整可能） | （ご要望に応じ調整可能） | ||||
| オリフラ方位 | OF(mm) IF(mm) |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5° |
EJ (Dove-Tail)：[OF] (0-1-1)±0.5°/ [IF](0-11)±0.5° 又は、 SEMI US (V-Groove)：[OF] (01-1)±0.5°/ [IF](011)±0.5° |
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| 外周加工 | べべル | べべル | |||
| 加工精度 | TTV(μm) | ≤10.0 | ≤10.0 | ≤10.0 | ≤10.0 |
| 加工精度 | TIR(μm) | ≤5.0 | ≤5.0 | ≤5.0 | ≤5.0 |
| 加工精度 | Warp(μm) | ≤10.0 | ≤10.0 | ≤10.0 | ≤10.0 |
| 面仕上げ | 表面 | ミラー | ミラー | ||
| 裏面 | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | ラップ後エッチ（ミラー加工も可能） | |||
| 表面処理 | エピレディ | エピレディ | |||
| レーザーマーク | オプション | オプション | |||
| 梱包形態 | カセット又は個装トレイ | カセット又は個装トレイ | |||